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介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀

型 號(hào)GDAT-A

更新時(shí)間2024-11-20

廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家

報(bào)價(jià)

產(chǎn)品描述:附表一,介質(zhì)損耗測(cè)試系統(tǒng)主要性能參數(shù)一覽表
BH916測(cè)試裝置GDAT高頻Q表
平板電容極片Φ50mm/Φ38mm可選頻率范圍20KHz-60MHz/200KHz-160MHz
間距可調(diào)范圍≥15mm頻率指示誤差3×10-5±1個(gè)字
夾具插頭間距25mm±0.01mm主電容調(diào)節(jié)范圍30-500/18-220pF
測(cè)微桿分辨率0.001mm主調(diào)電容誤差<1%或1p

產(chǎn)品概述

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

1、新購(gòu)儀器的檢查

新購(gòu)的儀器能先用LKI-1電感組,將各個(gè)電感在各個(gè)不同頻率測(cè)試Q值,把測(cè)試的情況,例使用的電感號(hào)、測(cè)試頻率Q讀數(shù)、電容讀數(shù)等多次測(cè)得數(shù)及測(cè)試環(huán)境條件逐一詳細(xì)記錄,并把記錄保存起來(lái),以供以后維修時(shí)作參考。

LKI-1電感組是測(cè)試時(shí)作輔助電感用的,不能把這些電感當(dāng)作高精度的標(biāo)準(zhǔn)電感看待。隨著測(cè)試環(huán)境條件不同,測(cè)得電感器Q值和分布電容可能略有不同。

2.使用和保養(yǎng)

高頻Q表是比較精密的阻抗測(cè)量?jī)x器,在合理使用和注意保養(yǎng)情況下,才能保證長(zhǎng)期穩(wěn)定和較高的測(cè)試精度。

a.熟悉本說(shuō)明書(shū),正確地使用儀器;

b.使儀器經(jīng)常保持清潔、干燥;

c.本儀器保用期為18個(gè)月,如發(fā)現(xiàn)機(jī)械故障或失去準(zhǔn)確度,可以原封送回本廠,免費(fèi)修理。

 

 介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀裝置:

2.3.1 平板電容器極片尺寸::Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率:0~8mm, ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性: 0.33 pF /mm±0.05 pF, 
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍:±12.5mm(±4.2pF)
2.3.5 裝置插頭間距:25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4

 

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀特點(diǎn): 

◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù),使測(cè)Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz~120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。

◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測(cè)試頻率,調(diào)諧狀態(tài)等。

◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào)   源輸出口,所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。

◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

 

 

介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀工作頻率范圍是10kHz~120MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。

本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器和測(cè)微圓筒線性電容器組成,平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品,配用Q表作為指示儀器。

絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到。

同樣,由測(cè)微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化,通過(guò)公式計(jì)算得到介電常數(shù)。

 

 

 

 介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo):

 

2.1 tanδ和ε性能:

2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。

2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍:

tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50

2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度(1MHz):

tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%

工作頻率范圍:50kHz~50MHz    四位數(shù)顯,壓控振蕩器

Q值測(cè)量范圍:1~1000三位數(shù)顯,±1Q分辨率

可調(diào)電容范圍:40~500 pF  ΔC±3pF

電容測(cè)量誤差:±1%±1pF

Q表殘余電感值:約20nH

 

 

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀電感器:

按測(cè)試頻率要求,需要配置不同量的電感器。

例如:在1MHz測(cè)試頻率時(shí),要配250μH電感器,在50MHz測(cè)試頻率時(shí),要配0.1μH電感器等。

 

高頻介質(zhì)樣品(選購(gòu)件):
在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中,檢定部門(mén)為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。

該樣品由人工藍(lán)寶石,石英玻璃,氧化鋁陶瓷,聚四氟乙烯,環(huán)氧板等材料做成Φ50mm,厚1~2mm測(cè)試樣品。用戶可按需訂購(gòu),以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。

 

 

 

 

附表一,介質(zhì)損耗測(cè)試系統(tǒng)主要性能參數(shù)一覽表

 

BH916測(cè)試裝置

GDAT高頻Q

平板電容極片

Φ50mm/Φ38mm可選

頻率范圍

20KHz-60MHz/200KHz-160MHz

間距可調(diào)范圍

≥15mm

頻率指示誤差

3×10-5±1個(gè)字

夾具插頭間距

25mm±0.01mm

主電容調(diào)節(jié)范圍

30-500/18-220pF

測(cè)微桿分辨率

0.001mm

主調(diào)電容誤差

<1%1pF

夾具損耗角正切值

4×10-4 1MHz)

Q測(cè)試范圍

21023

 

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