它符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

1工作特性
1.1 平板電容器：
1.1.1 極片尺寸：Φ38mm/Φ50mm. 
1.1.2 極片間距可調(diào)范圍和分辨率：  ≥8mm， ±0.002mm
1.2 夾具插頭間距：  25mm±1mm
1.3夾具損耗角正切值 ≤2.5×10-4

c類數(shù)顯Q表工作頻率范圍是10kHz～60MHz,是一種多功能、多用途、多量程數(shù)字化阻抗測試儀器。它是根據(jù)串聯(lián)諧振原理，以電壓比值刻度Q值的。它能測量高頻電感器的Q值，電感量和分布電容量；電容器的電容量和損耗角。配以夾具BH916介質(zhì)損耗裝置還能對固態(tài)絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗（tanδ）和介電常數(shù)（ε），高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等進(jìn)行測試。本Q表依照國家計量檢定規(guī)程：“JJF1073-2000高頻Q表校準(zhǔn)規(guī)范”執(zhí)行。

1 特點：
◎ 本公司創(chuàng)新的自動Q值讀取技術(shù)，使測Q分辨率至0.1Q。
◎ DPLL合成發(fā)生10kHz～60MHz,測試信號。
◎ 低至20nH殘余電感，保證高頻時直讀Q值的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等。
◎ Q值量程自動/手動量程控制。
◎ 數(shù)字化Q值預(yù)置，能提高批量測試的可靠性和速度。

介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測試儀由Q表、測試裝置，電感器及標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品組成，能對絕緣材料進(jìn)行高頻介質(zhì)損耗角正切值（tanδ）和介電常數(shù)（ε）的測試。它符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

 介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測試儀工作頻率范圍是10kHz～60MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角（tanδ）和介電常數(shù)（ε）變化的測試。

  本儀器中測試裝置是由平板電容器和測微圓筒線性電容器組成，平板電容器一般用來夾被測樣品，配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過公式計算得到。同樣，由測微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化，通過公式計算得到介電常數(shù)。

1 特點：                            
◎ 本公司創(chuàng)新的自動Q值保持技術(shù)，使測Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能對固體絕緣材料在100kHz～160MHz介質(zhì)損耗角（tanδ）和介電常數(shù)（ε）變化的測試。

◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的（tanδ）和（ε）的誤差較小。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等。

◎ Q值量程自動/手動量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生10kHz～60MHz, 100kHz～160MHz測試信號。獨立信號   源輸出口，所以本機又是一臺合成信號源。

◎ 測試裝置符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

2 主要技術(shù)指標(biāo)：

2.1 tanδ和ε性能：

2.1.1 固體絕緣材料測試頻率10kHz～60MHz的tanδ和ε變化的測試。

2.1.2 tanδ和ε測量范圍： tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50

2.1.3 tanδ和ε測量精度（1MHz）： tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%

2 主要技術(shù)指標(biāo)：
2.1 測試信號頻率范圍：10kHz～60MHz，數(shù)字合成，可數(shù)字設(shè)置或連續(xù)調(diào)節(jié)，五位有效數(shù)顯。
2.2 Q值測量范圍：1～1000四位數(shù)顯，分辨率0.1Q。分100、316、999三檔，量程可自動切換。
2.3 Q值固有誤差：±5%±3% 滿刻度值。
2.4 有效電感測量范圍：0.1µH～1000mH。
2.5 電感測量誤差：≤5%±0.02µH
2.6 調(diào)諧電容特性：
2.6.1可調(diào)電容范圍：40pF～500 pF。
2.6.2 精確度：±1% 或0.5pF。
2.6.3微調(diào)電容器：-3pF～0～+3pF，分辨率：0.2pF
2.6.4殘余電感值：約30nH。
2.7 Q預(yù)置功能：Q預(yù)置范圍：1～1000均可。

BH916 介質(zhì)損耗測試裝置（數(shù)顯）

   BH916介質(zhì)損耗測試裝置與C類Q表及電感器配用，能對絕緣材料進(jìn)行高頻介質(zhì)損耗角正切值（tanδ）和介電常數(shù)（ε）的測試。它符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
  本測試裝置是由測微平板電容器組成，平板電容器一般用來夾被測樣品，配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)變化通過公式計算得到。同樣，由平板電容器的刻度讀數(shù)變化，通過公式計算得到介電常數(shù)。

附表二,LKI-1電感組典型測試數(shù)據(jù)

線圈號 測試頻率         Q值   分布電容p     電感值

  9    100KHz          98     9.4          25mH
  8    400KHz         138    11.4        4.87mH
  7    400KHz         202    16          0.99mH
  6      1MHz         196    13          252μH
  5      2MHz         198     8.7       49.8μH
  4    4.5MHz         231      7          10μH
  3     12MHz         193     6.9       2.49μH
  2     12MHz         229     6.4      0.508μH
  1     25MHz 50MHz  233211   0.9      0.125μH

標(biāo)簽：介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀 介電常數(shù)測試儀 介質(zhì)損耗測試儀  介質(zhì)損耗介電常數(shù)測試儀